Nexperia PDTB123YT,215 SMD, PNP Digitaler Transistor –50 V / –500 mA, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 250 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 3 x 1.4 x 1.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Eingangswiderstand typ.: 2,2 kΩ, Widerstandsverhältnis: 0,22
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Nexperia PDTB123YT,215 SMD, PNP Digitaler Transistor –50 V / –500 MA, SOT-23 3-Pin
Specifications of Nexperia PDTB123YT,215 SMD, PNP Digitaler Transistor –50 V / –500 MA, SOT-23 3-Pin | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |