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Arduino STM32H747 Entwicklungsplatine, Portenta H7 Lite Verbunden Version 1

About The Arduino STM32H747 Entwicklungsplatine, Portenta H7 Lite verbunden Version 1, MPN: ABX00046

Arduino STM32H747 Entwicklungsplatine, Portenta H7 Lite verbunden Version 1, MPN: ABX00046

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Arduino STM32H747 Entwicklungsplatine, Portenta H7 Lite Verbunden Version 1

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Specifications of Arduino STM32H747 Entwicklungsplatine, Portenta H7 Lite Verbunden Version 1

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Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator NP0 Klasse I, 33pF / 16V dc, Gehäuse 0805 (2012M)

Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator NP0 Klasse I, 33pF / 16V dc, Gehäuse 0805 (2012M)

Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator NP0 Klasse I, 33pF / 16V dc, Gehäuse 0805 (2012M), MPN: 885012007013.

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    Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator NP0 Klasse I, 47pF / 16V dc, Gehäuse 0805 (2012M), MPN: 885012007014.

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    • TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 422kΩ ±0.1% / 0.25W

    TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 422kΩ ±0.1% / 0.25W

    TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 422kΩ ±0.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±15ppm/°C, Betriebstemperatur min.25W, Betriebstemperatur max.: -65°C, MPN: YR1B422KCC.

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    • TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 820kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse
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    • TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 820kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

    TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 820kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: 4-2176398-4.TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 820kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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