Semikron IGBT-Modul / 125 A ±20V Max., 1700 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal

Name: Semikron IGBT-Modul / 125 A ±20V Max., 1700 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal :- Semikron
Brand: Semikron
SKU: CAWX-299238
Price: 143.87 EUR
Availability: InStock

About The , 1700 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal, Konfiguration: Zweifach-Halbbrücke, Montage-Typ: Tafelmontage, Transistor-Konfiguration: Serie, Abmessungen: 94 x 34 x 30.: -40 °C, Breite: 34mm, MPN: SKM100GB176D

Semikron IGBT-Modul / 125 A ±20V max., 1700 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal, Konfiguration: Zweifach-Halbbrücke, Montage-Typ: Tafelmontage, Transistor-Konfiguration: Serie, Abmessungen: 94 x 34 x 30.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -40 °C, Breite: 34mm, MPN: SKM100GB176D

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Specifications of Semikron IGBT-Modul / 125 A ±20V Max., 1700 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
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Last Updated May 7th, 2024 06:02 pm

Semikron IGBT-Modul / 125 A ±20V Max., 1700 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal

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TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 110Ω ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: 5-2176397-0.TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 110Ω ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 3MΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 3MΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: 5-2176398-7.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Sick DBS36 Inkremental Drehgeber Inkremental 500Impulse/Umdrehung/U, 6000U/min, 5,5 V, RS422, TTL Vollwelle mit Ø 8mm

: -20°C, MPN: 1066755.5mm, Betriebstemperatur min.Sick DBS36 Inkremental Drehgeber Inkremental 500Impulse/Umdrehung/U, 6000U/min, 5,5 V, RS422, TTL Vollwelle mit Ø 8mm, IP Schutzart: IP65, Schnittstelle: RS-422, Gesamthöhe: 37mm, Gesamttiefe: 35.

Elektromechanik & Automation und Kabel

Eaton Bussman Drosselspule, 33 μH 1.73A mit Ferrit-Kern, 0704 Gehäuse 7.6mm / ±20%, 100kHz

6 x 7.35mm, Abmessungen: 7.

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Eaton Bussman Drosselspule, 33 μH 1.73A mit Ferrit-Kern, 0704 Gehäuse 7.6mm / ±20%, 100kHz

6mm / ±20%, 100kHz, Gehäuse-Form: 74, Höhe: 4.6 x 7.

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Semikron IGBT-Modul / 125 A ±20V Max., 1700 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal

About The , 1700 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal, Konfiguration: Zweifach-Halbbrücke, Montage-Typ: Tafelmontage, Transistor-Konfiguration: Serie, Abmessungen: 94 x 34 x 30.: -40 °C, Breite: 34mm, MPN: SKM100GB176D

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TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 110Ω ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 3MΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

Sick DBS36 Inkremental Drehgeber Inkremental 500Impulse/Umdrehung/U, 6000U/min, 5,5 V, RS422, TTL Vollwelle mit Ø 8mm

Eaton Bussman Drosselspule, 33 μH 1.73A mit Ferrit-Kern, 0704 Gehäuse 7.6mm / ±20%, 100kHz

Eaton Bussman Drosselspule, 33 μH 1.73A mit Ferrit-Kern, 0704 Gehäuse 7.6mm / ±20%, 100kHz