Cypress Semiconductor 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOIC 32-Pin
About The 43 x 2.000 x 8 Bit, Zugriffszeit max
Cypress Semiconductor 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin, Organisation: 128.000 x 8 Bit, Zugriffszeit max.: 45ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 20.75 x 11.43 x 2.88mm, MPN: CY62128ELL-45SXI
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM
Cypress Semiconductor 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOIC 32-Pin
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Specifications of Cypress Semiconductor 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOIC 32-Pin | |
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