Vishay IHLP SMD Induktivität, 6,8 μH 5.5A Mit Metallverbund-Kern, 2225 (5664M) Gehäuse 6.86mm / ±20%, 1MHz

Name: Vishay IHLP SMD Induktivität, 6,8 μH 5.5A Mit Metallverbund-Kern, 2225 (5664M) Gehäuse 6.86mm / ±20%, 1MHz, Tiefe: 6.47mm, Höhe: 5mm, Abmessungen: 6.86 X 6.47 X 5mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand Max.: 44.6mΩ, Betriebstemperatur Max.: +125°C, MPN: IHLP2525EZER6R8M01! Vishay
Brand: Vishay
SKU: CAWX-752577
Price: 558.60 EUR
Availability: InStock

About The : 44.Vishay IHLP SMD Induktivität, 6,8 μH 5

Vishay IHLP SMD Induktivität, 6,8 μH 5.5A mit Metallverbund-Kern, 2225 (5664M) Gehäuse 6.86mm / ±20%, 1MHz, Tiefe: 6.47mm, Höhe: 5mm, Abmessungen: 6.86 x 6.47 x 5mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 44.6mΩ, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: IHLP2525EZER6R8M01

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

TE Connectivity MULTIGIG RT 2-R Führungsstift mit Schlüssel für Bearbeitete Backplane-Steckverbinder

Gates Hi-Power Antriebsriemen, C-Profil 22mm x 13.49mm x 2500mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Specifications of Vishay IHLP SMD Induktivität, 6,8 μH 5.5A Mit Metallverbund-Kern, 2225 (5664M) Gehäuse 6.86mm / ±20%, 1MHz
Category
Instock	instock

Last Updated May 29th, 2024 05:41 am

Vishay IHLP SMD Induktivität, 6,8 μH 5.5A Mit Metallverbund-Kern, 2225 (5664M) Gehäuse 6.86mm / ±20%, 1MHz

More Varieties

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Passive Bauelemente

Induktivitäten

Rating :- 9.06 /10

Votes :- 49

RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 14.7kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C.: -55°C, Betriebstemperatur max.RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 14.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 14kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 14kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Alps Alpine RK097 THT, Tafelmontage Dreh Kohleschicht Potenziometer 10kΩ ±20% / 0.05W, Schaft-Ø 6 mm

Alps Alpine RK097 THT, Tafelmontage Dreh Kohleschicht Potenziometer 10kΩ ±20% / 0.05W, Schaft-Ø 6 mm, Potenziometer Typ: Drehbar, Widerstandselement: Linear, Montageart: Frontplattenmontage, Durchsteckmontage, MPN: RK097111030X.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Wurth Elektronik TVS-Diode-Array Uni-Directional Array komplex 8.5V 6.1V min., 6-Pin, SMD 5V max SOT-23

: -55 °C, Abmessungen: 2.: 12A, ESD Schutz: Ja, Anzahl der Elemente pro Chip: 4, Betriebstemperatur min., 6-Pin, SMD 5V max SOT-23, Impulsspitzen-Strom max.5V 6.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Wurth Elektronik TVS-Diode-Array Uni-Directional Array komplex 8.5V 6.1V min., 6-Pin, SMD 5V max SOT-23

06mm, Betriebstemperatur max.5V 6.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Vishay IHLP SMD Induktivität, 6,8 μH 5.5A Mit Metallverbund-Kern, 2225 (5664M) Gehäuse 6.86mm / ±20%, 1MHz

About The : 44.Vishay IHLP SMD Induktivität, 6,8 μH 5

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Specifications of Vishay IHLP SMD Induktivität, 6,8 μH 5.5A Mit Metallverbund-Kern, 2225 (5664M) Gehäuse 6.86mm / ±20%, 1MHz

RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 14.7kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 14kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

Alps Alpine RK097 THT, Tafelmontage Dreh Kohleschicht Potenziometer 10kΩ ±20% / 0.05W, Schaft-Ø 6 mm

Wurth Elektronik TVS-Diode-Array Uni-Directional Array komplex 8.5V 6.1V min., 6-Pin, SMD 5V max SOT-23

Wurth Elektronik TVS-Diode-Array Uni-Directional Array komplex 8.5V 6.1V min., 6-Pin, SMD 5V max SOT-23