Toshiba RN1104(F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, ESM 3-Pin
About The 6 x 0.7mm, Betriebstemperatur max
Toshiba RN1104(F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin, Gleichstromverstärkung min.: 80, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 10 V, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -55 °C, Eingangswiderstand typ.: 47 kΩ
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Toshiba RN1104(F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, ESM 3-Pin
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Specifications of Toshiba RN1104(F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, ESM 3-Pin | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
