STMicroelectronics MOSFET SCTL35N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 X 8 HV De 5 Pines
About The STMicroelectronics MOSFET SCTL35N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.067 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, Material del transistor: SiC
STMicroelectronics MOSFET SCTL35N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.067 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, Material del transistor: SiC
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
STMicroelectronics MOSFET SCTL35N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 X 8 HV De 5 Pines
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Specifications of STMicroelectronics MOSFET SCTL35N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 X 8 HV De 5 Pines | |
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