Vishay MOSFET Canal N, SOT-363 1,3 A 20 V, 6 Broches
About The 2mm, MPN: SI1922EDH-T1-GE3.Vishay MOSFET canal N, SOT-363 1,3 A 20 V, 6 broches, Type de boîtier: SOT-363 (SC-88), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 263 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0
Vishay MOSFET canal N, SOT-363 1,3 A 20 V, 6 broches, Type de boîtier: SOT-363 (SC-88), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 263 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 1mm, Longueur: 2.2mm, MPN: SI1922EDH-T1-GE3
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Vishay MOSFET Canal N, SOT-363 1,3 A 20 V, 6 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, SOT-363 1,3 A 20 V, 6 Broches | |
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