Vishay MOSFET Canal P, TO-220AB 6.8 A 100 V, 3 Broches
About The 8 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 600 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 60000 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.Vishay MOSFET canal P, TO-220AB 6
Vishay MOSFET canal P, TO-220AB 6.8 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 600 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 60000 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.41mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRF9520PBF
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Vishay MOSFET Canal P, TO-220AB 6.8 A 100 V, 3 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal P, TO-220AB 6.8 A 100 V, 3 Broches | |
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