Infineon MOSFET Canal P, SC-59 360 MA 100 V, 3 Broches
About The Infineon MOSFET canal P, SC-59 360 mA 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSR316PH6327XTSA1
Infineon MOSFET canal P, SC-59 360 mA 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSR316PH6327XTSA1
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Infineon MOSFET Canal P, SC-59 360 MA 100 V, 3 Broches
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Specifications of Infineon MOSFET Canal P, SC-59 360 MA 100 V, 3 Broches | |
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