onsemi MOSFET canal N, TO-3PN 170 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Hauteur: 18.9mm, Longueur: 15.8mm, MPN: FQA170N06
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Onsemi MOSFET Canal N, TO-3PN 170 A 60 V, 3 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, TO-3PN 170 A 60 V, 3 Broches | |
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