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TRACOPOWER Convertisseur DC-DC, TEN 8WI, Montage Traversant, 8W, 1 Sortie, 5V C.c., 1.6A

About The c.c

TRACOPOWER Convertisseur DC-DC, TEN 8WI, Montage traversant, 8W, 1 sortie, 5V c.c., 1.6A, Plage de tensions d'entrée: 9 → 36 V c.c., Tension d'entrée nominale: 24 V c.c., Isolé: Oui, Boîtier: DIP 24, Tension d'isolement: 1.5kV c.c., Profondeur: 10.2mm, Longueur: 32mm, Largeur: 20.3mm, Régulation de charge: ±0.5%, MPN: TEN 8-2411WI

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Specifications of TRACOPOWER Convertisseur DC-DC, TEN 8WI, Montage Traversant, 8W, 1 Sortie, 5V C.c., 1.6A

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Legrand Repère câble Clipsable, texte : T, Noir sur Jaune

Legrand Repère câble Clipsable, texte : T, Noir sur Jaune

Legrand Repère câble Clipsable, texte : T, Noir sur Jaune, MPN: 0 384 29.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
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    • WEG Bloc de contact auxiliaire BFCA 4 contacts 1 NO + 3 NF à vis

    WEG Bloc de contact auxiliaire BFCA 4 contacts 1 NO + 3 NF à vis

    a., Gamme de température de fonctionnement: -25 → +55 °C, MPN: BFCA-13.

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    • KEMET Condensateur à couche mince R75 10nF 1.6 kV dc, 650 V ac ±5% 40

    KEMET Condensateur à couche mince R75 10nF 1.6 kV dc, 650 V ac ±5% 40

    06 % @ 10 kHz, 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +105°C, MPN: R75TI21004030J.

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    • STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 200 V, 3 broches

    STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 200 V, 3 broches

    STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 75 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 4.6mm, MPN: STB30NF20.

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    STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 200 V, 3 broches

    STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 75 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 4.

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