IXYS MOSFET Canal N, SOT-227 115 A 300 V, 4 Broches
About The IXYS MOSFET canal N, SOT-227 115 A 300 V, 4 broches, Type de montage: Montage à visser, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 700 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 38.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN140N30P
IXYS MOSFET canal N, SOT-227 115 A 300 V, 4 broches, Type de montage: Montage à visser, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 700 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 38.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN140N30P
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
IXYS MOSFET Canal N, SOT-227 115 A 300 V, 4 Broches
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Specifications of IXYS MOSFET Canal N, SOT-227 115 A 300 V, 4 Broches | |
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