Infineon Transistor Bipolaire RF, NPN Simple, 50 MA, 4,1 V, SOT-343, 4 Broches
About The 9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BFP640ESDH6327XTSA1.25 x 0
Infineon Transistor bipolaire RF, NPN Simple, 50 mA, 4,1 V, SOT-343, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Tension Collecteur Base maximum: 4,8 V, Tension Emetteur Base maximum: 0,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 45 GHz, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BFP640ESDH6327XTSA1
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors bipolaires
Infineon Transistor Bipolaire RF, NPN Simple, 50 MA, 4,1 V, SOT-343, 4 Broches
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Specifications of Infineon Transistor Bipolaire RF, NPN Simple, 50 MA, 4,1 V, SOT-343, 4 Broches | |
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