IXYS MOSFET canal N, SOT-227 112 A 500 V, 4 broches, Type de montage: Montage à visser, Résistance Drain Source maximum: 39 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,5 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN132N50P3
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IXYS MOSFET Canal N, SOT-227 112 A 500 V, 4 Broches
Specifications of IXYS MOSFET Canal N, SOT-227 112 A 500 V, 4 Broches | |
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