reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
Semi-conducteurs
Composants discrets
Transistors MOSFET
IXYS

IXYS MOSFET Canal N, SOT-227 112 A 500 V, 4 Broches

About The 23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN132N50P3.IXYS MOSFET canal N, SOT-227 112 A 500 V, 4 broches, Type de montage: Montage à visser, Résistance Drain Source maximum: 39 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,5 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38

IXYS MOSFET canal N, SOT-227 112 A 500 V, 4 broches, Type de montage: Montage à visser, Résistance Drain Source maximum: 39 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,5 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN132N50P3

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

IXYS MOSFET Canal N, SOT-227 112 A 500 V, 4 Broches

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Specifications of IXYS MOSFET Canal N, SOT-227 112 A 500 V, 4 Broches

Category
Instockinstock

Last Updated

IXYS MOSFET Canal N, SOT-227 112 A 500 V, 4 Broches
More Varieties

Rating :- 9.69 /10
Votes :- 46