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Microchip Mémoire EEPROM En Série, 93LC46B-I/SN, 1Kbit, Série-Microwire SOIC, 8 Broches, 16bit

About The 9 x 1.9 x 3

Microchip Mémoire EEPROM en série, 1Kbit, Série-Microwire SOIC, 8 broches, 16bit, Type de montage: CMS, Configuration: 64 x 16 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2,5 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Tension de programmation: 2.5 → 5.5V, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.25mm, Conservation des données: 200an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 200ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: 93LC46B-I/SN

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Specifications of Microchip Mémoire EEPROM En Série, 93LC46B-I/SN, 1Kbit, Série-Microwire SOIC, 8 Broches, 16bit

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ABB Disjoncteur différentiel magnéto-thermique 13A 1P+N, sensibilité 30mA Type C, Montage rail DIN, DS-ARC1

ABB Disjoncteur différentiel magnéto-thermique 13A 1P+N, sensibilité 30mA Type C, Montage rail DIN, DS-ARC1

nominale: 230 → 240V, Pouvoir de coupure: 10 kA, Profondeur totale: 85mm, Dimensions: 52.2mm, Largeur totale: 69mm, MPN: 2CSA275103R1134 DS-ARC1 M C13 A30.2 x 69 x 85mm, Longueur hors tout: 52.ABB Disjoncteur différentiel magnéto-thermique 13A 1P+N, sensibilité 30mA Type C, Montage rail DIN, DS-ARC1, Gamme: Système Pro M Compact, Type de disjoncteur: RCBO, Tension c.

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    TE Connectivity Embase pour CI, AMP-LATCH, 14 pôles, 2.54mm, 2 rangées, 1.0A, Angle droit

    0A, Angle droit, Enveloppé/Non-Enveloppé: Enveloppé, Système de connecteurs: Fil à Carte, Type de montage: Traversant, Type de raccordement: A souder, Matériau du contact: Alliage de cuivre, MPN: 5103310-2.54mm, 2 rangées, 1.TE Connectivity Embase pour CI, AMP-LATCH, 14 pôles, 2.

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    • ams OSRAM Phototransistor,, Infrarouge, SFH 320 FA-Z, ±60 °, Montage en surface, boîtier Top LED

    ams OSRAM Phototransistor,, Infrarouge, SFH 320 FA-Z, ±60 °, Montage en surface, boîtier Top LED

    ams OSRAM Phototransistor,, Infrarouge, ±60 °, Montage en surface, boîtier Top LED, Temps de chute: 8µs, Courant d'obscurité maximum: 50nA, Polarité: NPN, Nombre de broches: 2, Dimensions: 3.92mm, Courant de collecteur: 15mA, Longueur d'onde maximum détectée: 1120nm, Longueur d'onde minimum détectée: 750nm, Gamme spectrale de sensibilité: 750 → 1 120 nm, Tension d'émetteur-collecteur: 35 V, MPN: SFH 320 FA-Z.

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    ams OSRAM Phototransistor,, Infrarouge, ±60 °, Montage en surface, boîtier Top LED, Temps de chute: 8µs, Courant d'obscurité maximum: 50nA, Polarité: NPN, Nombre de broches: 2, Dimensions: 3.4 x 3 x 1.

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