Onsemi MOSFET, Canale P, 1 Ω, 760 MA, SC-75, Montaggio Superficiale
About The 65mm, MPN: NTA4151PT1G.onsemi MOSFET, canale P, 1 Ω, 760 mA, SC-75, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Tipo di package: SOT-416 (SC-75), Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1
onsemi MOSFET, canale P, 1 Ω, 760 mA, SC-75, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Tipo di package: SOT-416 (SC-75), Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 300 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -6 V, +6 V, Altezza: 0.8mm, Lunghezza: 1.65mm, MPN: NTA4151PT1G
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale P, 1 Ω, 760 MA, SC-75, Montaggio Superficiale
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Specifications of Onsemi MOSFET, Canale P, 1 Ω, 760 MA, SC-75, Montaggio Superficiale | |
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