Infineon MOSFET, canale N, 3,6 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 150 V, Modalità del canale: Enhancement, Numero di elementi per chip: 2, Materiale del transistor: Silicone, MPN: IRF7465TRPBF.
Infineon MOSFET, canale N, 3,6 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 150 V, Modalità del canale: Enhancement, Numero di elementi per chip: 2, Materiale del transistor: Silicone, MPN: IRF7465TRPBF.