Simple, Tipo de Encapsulado: SOT-227B, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 33 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 570000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 9.6mm, Longitud: 38.23mm IXYS MOSFET IXFN102N30P, VDSS 300 V, ID 86 A, SOT-227 de 4 pines,, config.
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IXYS MOSFET IXFN102N30P, VDSS 300 V, ID 86 A, SOT-227 De 4 Pines,, Config. Simple
Specifications of IXYS MOSFET IXFN102N30P, VDSS 300 V, ID 86 A, SOT-227 De 4 Pines,, Config. Simple | |
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