International Rectifier HEXFET IRF3710LPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
About The : 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min
International Rectifier HEXFET IRF3710LPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin I2PAK (TO-262), Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.83mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
International Rectifier HEXFET IRF3710LPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
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Specifications of International Rectifier HEXFET IRF3710LPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin I2PAK (TO-262) | |
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