Infineon HEXFET IRF7105TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC
: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET IRF7105TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.