reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon C7 GOLD IPT60R150G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 8-Pin HSOF-8

About The Infineon C7 GOLD IPT60R150G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,15 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon C7 GOLD IPT60R150G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,15 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon C7 GOLD IPT60R150G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 8-Pin HSOF-8

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon C7 GOLD IPT60R150G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 8-Pin HSOF-8

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon C7 GOLD IPT60R150G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 8-Pin HSOF-8
More Varieties
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.45 /10
Votes :- 50
Infineon CoolMOS P7 IPA95R1K2P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP

Infineon CoolMOS P7 IPA95R1K2P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP

Infineon CoolMOS P7 IPA95R1K2P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Infineon CoolMOS P7 IPD80R600P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-252

    Infineon CoolMOS P7 IPD80R600P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-252

    5V.Infineon CoolMOS P7 IPD80R600P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Bourns SDR1307 SMD Induktivität, 560 μH 1.3A mit Ferrit DR-Kern, 1307 Gehäuse 13mm / ±10%, 2MHz

    Bourns SDR1307 SMD Induktivität, 560 μH 1.3A mit Ferrit DR-Kern, 1307 Gehäuse 13mm / ±10%, 2MHz

    : 880mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: SDR1307-561KL.Bourns SDR1307 SMD Induktivität, 560 μH 1.3A mit Ferrit DR-Kern, 1307 Gehäuse 13mm / ±10%, 2MHz, Höhe: 7mm, Abmessungen: 13 x 13 x 7mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • SMD-Induktivität
  • Bourns
    • RS PRO Miniatur Thermoelement-Panel für Miniaturbuchse

    RS PRO Miniatur Thermoelement-Panel für Miniaturbuchse

    RS PRO Miniatur Thermoelement-Panel für Miniaturbuchse, Anwendung: Miniatur-Blende, Montagetyp: Flanschbefestigung, Erfüllte Normen: RoHS-kompatibel.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Sensoren
  • Sensor-Zubehör
  • RS PRO
    • RS PRO Miniatur Thermoelement-Panel für Miniaturbuchse

    RS PRO Miniatur Thermoelement-Panel für Miniaturbuchse

    RS PRO Miniatur Thermoelement-Panel für Miniaturbuchse, Anwendung: Miniatur-Blende, Montagetyp: Flanschbefestigung, Erfüllte Normen: RoHS-kompatibel.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Sensoren
  • Sensor-Zubehör
  • RS PRO