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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 KW, 3-Pin PLUS264

About The : 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 56 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 56 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 26.59mm, Länge: 20.29mm

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Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 KW, 3-Pin PLUS264

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Walsin Technology Corporation, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 60nF ±10% / 25V dc, Gehäuse 0603 (1608M)

Walsin Technology Corporation, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 60nF ±10% / 25V dc, Gehäuse 0603 (1608M)

8mm, Betriebstemperatur max.: -55°C, Entstörklasse: Class II, MPN: 0603B683K250CT.: +125°C, Betriebstemperatur min.Walsin Technology Corporation, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 60nF ±10% / 25V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Länge: 1.

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    • JST XH Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 3-polig / 1-reihig, Raster 2.5mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss,

    JST XH Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 3-polig / 1-reihig, Raster 2.5mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss,

    JST XH Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 3-polig / 1-reihig, Raster 2.5mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss,, Gehäuseausrichtung: Rechtwinklig, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, Nennstrom: 3A, MPN: S3B-XH-A(LF)(SN).

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    IXYS HiperFET, Polar3 IXFB210N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 210 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264

    59mm, Länge: 20.: -20 V, +20 V, Höhe: 26.IXYS HiperFET, Polar3 IXFB210N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 210 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    59mm, Länge: 20.: 14,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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