onsemi PowerTrench FDP090N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 208 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Onsemi PowerTrench FDP090N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 208 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Onsemi PowerTrench FDP090N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 208 W, 3-Pin TO-220 | |
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