Vishay IRF840SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 8 A 3100 MW, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +150 °C
Vishay IRF840SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 8 A 3100 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 850 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay IRF840SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 8 A 3100 MW, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Vishay IRF840SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 8 A 3100 MW, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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