Infineon OptiMOS 2 BSC026N02KSGAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 A 2,8 W, 8-Pin TDSON
About The : 0.: -12 V, +12 V, Länge: 6
Infineon OptiMOS 2 BSC026N02KSGAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 A 2,8 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 6.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 2 BSC026N02KSGAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 A 2,8 W, 8-Pin TDSON
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Specifications of Infineon OptiMOS 2 BSC026N02KSGAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 A 2,8 W, 8-Pin TDSON | |
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