Infineon HEXFET IRLML2402TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,2 A 540 MW, 3-Pin SOT-23
About The : 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0
Infineon HEXFET IRLML2402TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,2 A 540 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 1.02mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRLML2402TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,2 A 540 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Infineon HEXFET IRLML2402TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,2 A 540 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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