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Infineon CoolMOS IPL60R185C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A, 5-Pin ThinkPAK 8 X 8

About The Infineon CoolMOS IPL60R185C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,185 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolMOS IPL60R185C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,185 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon

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Infineon CoolMOS IPL60R185C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A, 5-Pin ThinkPAK 8 X 8

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Specifications of Infineon CoolMOS IPL60R185C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A, 5-Pin ThinkPAK 8 X 8

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HellermannTyton Kabelschlauch Glasfaser, Länge 25m Umflochtener

HellermannTyton Kabelschlauch Glasfaser, Länge 25m Umflochtener

: +250°C, MPN: GSS2.HellermannTyton Kabelschlauch Glasfaser, Länge 25m Umflochtener, Schlauchdurchmesser: 2mm, Farbe: Natur, Material: Fiberglas, Umflochten: Ja, Betriebstemperatur min.: -60°C, Betriebstemperatur max.0.

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    • Siemens Servoantrieb, 3-phasig, 480 V / 3,6 A 0,4 kW

    Siemens Servoantrieb, 3-phasig, 480 V / 3,6 A 0,4 kW

    Siemens Servoantrieb, 3-phasig, 480 V / 3,6 A 0,4 kW, Versorgungsspannung: 380-480 V, MPN: 6SL3210-5FE10-4UA0.

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    • Phoenix Contact QUINT4 DIN-Schienen USV Stromversorgung 480W, 18 → 32V dc / 16.2A, EtherNet/IP

    Phoenix Contact QUINT4 DIN-Schienen USV Stromversorgung 480W, 18 → 32V dc / 16.2A, EtherNet/IP

    Phoenix Contact QUINT4 DIN-Schienen USV Stromversorgung 480W, 18 → 32V dc / 16.2A, EtherNet/IP, Ausgangsspannung: 18 → 32V dc, Eingangsspannung: 18 → 30V dc, Länge: 35mm, Breite: 125mm, Tiefe: 130mm, MPN: 2907066.

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    • Infineon CoolMOS IPP60R120C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A, 3-Pin TO-220

    Infineon CoolMOS IPP60R120C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A, 3-Pin TO-220

    : 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon.: 0,12 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Infineon CoolMOS IPP60R120C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A, 3-Pin TO-220

    : 0,12 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon.Infineon CoolMOS IPP60R120C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.

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