Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPP80R1K2P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,5 A, 3-Pin TO-220
About The Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPP80R1K2P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,5 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ω, Gate-Schwellenspannung max
Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPP80R1K2P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,5 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPP80R1K2P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,5 A, 3-Pin TO-220
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Specifications of Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPP80R1K2P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,5 A, 3-Pin TO-220 | |
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