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Thermaltronics Lötspitze 2,5 Mm Flach 30° K Für MFR-PS1100, MFR-PS2200 Mit SHP-KM, PS900 Mit SHP-K, TMT-2000PS

About The Thermaltronics Lötspitze 2,5 mm flach 30° K für MFR-PS1100, MFR-PS2200 mit SHP-KM, PS900 mit SHP-K, TMT-2000PS, Spitzen-Form: Meißelform, gerade, MPN: K75CH025

Thermaltronics Lötspitze 2,5 mm flach 30° K für MFR-PS1100, MFR-PS2200 mit SHP-KM, PS900 mit SHP-K, TMT-2000PS, Spitzen-Form: Meißelform, gerade, MPN: K75CH025

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Specifications of Thermaltronics Lötspitze 2,5 Mm Flach 30° K Für MFR-PS1100, MFR-PS2200 Mit SHP-KM, PS900 Mit SHP-K, TMT-2000PS

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Thermaltronics Lötspitze 5 mm flach 30° M für MX-500, MX-5000, MX5200, TMT-9000S-1, TMT-9000S-2

Thermaltronics Lötspitze 5 mm flach 30° M für MX-500, MX-5000, MX5200, TMT-9000S-1, TMT-9000S-2

Thermaltronics Lötspitze 5 mm flach 30° M für MX-500, MX-5000, MX5200, TMT-9000S-1, TMT-9000S-2, Spitzen-Form: Meißelform, gerade, MPN: M7CH250.

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    • ROHM SCT2450KEGC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 10 A, 3-Pin TO-247N

    ROHM SCT2450KEGC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 10 A, 3-Pin TO-247N

    : 0,45 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: SiC.

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  • MOSFET
  • ROHM
    • Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 200 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)

    Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 200 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)

    4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SUM40014M-GE3.Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 200 A, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

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    • onsemi THT Gleichrichter Diode, 200V / 1A, 2-Pin DO-41

    onsemi THT Gleichrichter Diode, 200V / 1A, 2-Pin DO-41

    onsemi THT Gleichrichter Diode, 200V / 1A, 2-Pin DO-41, Diodenkonfiguration: Einfach, Diode Typ: Siliziumverbindung, Maximaler Spannungsabfall: 950mV, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 50ns, Durchmesser: 2.72mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 30A, MPN: EGP10D.

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    onsemi THT Gleichrichter Diode, 200V / 1A, 2-Pin DO-41

    onsemi THT Gleichrichter Diode, 200V / 1A, 2-Pin DO-41, Diodenkonfiguration: Einfach, Diode Typ: Siliziumverbindung, Maximaler Spannungsabfall: 950mV, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 50ns, Durchmesser: 2.72mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 30A, MPN: EGP10D.

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