ROHM QH8KC6 QH8KC6TCR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,5 A, 8-Pin TSMT-8
About The 5V.ROHM QH8KC6 QH8KC6TCR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,5 A, 8-Pin TSMT-8, Drain-Source-Widerstand max
ROHM QH8KC6 QH8KC6TCR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,5 A, 8-Pin TSMT-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,03 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM QH8KC6 QH8KC6TCR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,5 A, 8-Pin TSMT-8
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Specifications of ROHM QH8KC6 QH8KC6TCR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,5 A, 8-Pin TSMT-8 | |
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