Toshiba TJ15P04M3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 29 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The 8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Toshiba TJ15P04M3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 29 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max
Toshiba TJ15P04M3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 29 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 48 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TJ15P04M3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 29 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Toshiba TJ15P04M3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 29 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
