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Vishay TrenchFET® Gen IV SIJ150DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

About The : 2.3V

Vishay TrenchFET® Gen IV SIJ150DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0041 Ω, 0,00283 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V

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Vishay TrenchFET® Gen IV SIJ150DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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Specifications of Vishay TrenchFET® Gen IV SIJ150DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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Vishay TrenchFET® Gen IV SIJ150DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
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