Vishay EF Series SiHG33N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247AC
About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1
Vishay EF Series SiHG33N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 98 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 20.82mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay EF Series SiHG33N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247AC
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Specifications of Vishay EF Series SiHG33N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247AC | |
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