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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Microchip 64K, 8K X 8, 2.5V SER EE, IND

About The 5V SER EE, IND, MPN: 24LC64-I/ST.Microchip 64K, 8K X 8, 2

Microchip 64K, 8K X 8, 2.5V SER EE, IND, MPN: 24LC64-I/ST

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Microchip 64K, 8K X 8, 2.5V SER EE, IND

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Specifications of Microchip 64K, 8K X 8, 2.5V SER EE, IND

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IXYS SCR Thyristor 19A TO-247AD 1600V 215A

IXYS SCR Thyristor 19A TO-247AD 1600V 215A

IXYS SCR Thyristor 19A TO-247AD 1600V 215A, Montage-Typ: THT, Gate-Triggerstrom max.: –40 °C, Durchlassspannung-Spitzenwert: 2.: 1V, Haltestrom max.: 100mA, Pinanzahl: 3, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • Thyristoren
  • IXYS
    • INA KGHK30-B-PP-AS Lagereinheit, 50.2 x 67 x 60mm, Wellen-Ø 30mm, 3300N

    INA KGHK30-B-PP-AS Lagereinheit, 50.2 x 67 x 60mm, Wellen-Ø 30mm, 3300N

    2mm.INA KGHK30-B-PP-AS Lagereinheit, 50.2 x 67 x 60mm, Wellen-Ø 30mm, 3300N, Lagereinheitstyp: Linearkugellager-Einheit, Für Lagertyp: Geschlossen, Statische Traglast: 2700N, Gehäusebreite: 67mm, Gehäuselänge: 50.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
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  • Linearbewegung
  • Linear-Lagereinheiten
  • INA
    • TRACOPOWER TVN 3 DC/DC-Wandler 3W 24 V dc IN, 15V dc OUT / 200mA 1.6kV dc isoliert

    TRACOPOWER TVN 3 DC/DC-Wandler 3W 24 V dc IN, 15V dc OUT / 200mA 1.6kV dc isoliert

    01, MPN: TVN 3-2413.6kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 15V dc, Eingangsspannung: 18 → 36 V dc, Montagetyp: Durchsteckmontage, Isoliert: Ja, Gehäuse: SIP 8, Isolationsspannung: 1.6mm, Lastausregelung: 0.6kV dc, Tiefe: 11.

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    • onsemi PowerTrench FDME1034CZT N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A; 3,8 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET dünn

    onsemi PowerTrench FDME1034CZT N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A; 3,8 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET dünn

    : 0.: +150 °C.: –8 V, +8 V, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.

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  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi PowerTrench FDME1034CZT N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A; 3,8 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET dünn
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