Infineon HEXFET IRL6372TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8,1 A 2 W, 8-Pin SOIC
About The : 0.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET IRL6372TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8,1 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRL6372TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8,1 A 2 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Infineon HEXFET IRL6372TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8,1 A 2 W, 8-Pin SOIC | |
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