Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin, Organisation: 256 K x 16, Zugriffszeit max.: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.51 x 10.26 x 1.05mm, MPN: CY7C1041G30-10ZSXE
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM
Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V Bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
Specifications of Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V Bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin | |
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