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Coba Europe Coba Boden ESD-Matte Grau Für Boden, 9mm X 900mm X 1500mm

About The Coba Europe Coba Boden ESD-Matte Grau für Boden, 9mm x 900mm x 1500mm, Oberflächenstrukturtyp: Genarbt, Gemäß EN 61340-5-1: Nein, Serie: COBAstat, Widerstand: 1.1 x 10^7Ω, Material: PVC, MPN: AS060002

Coba Europe Coba Boden ESD-Matte Grau für Boden, 9mm x 900mm x 1500mm, Oberflächenstrukturtyp: Genarbt, Gemäß EN 61340-5-1: Nein, Serie: COBAstat, Widerstand: 1.1 x 10^7Ω, Material: PVC, MPN: AS060002

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Specifications of Coba Europe Coba Boden ESD-Matte Grau Für Boden, 9mm X 900mm X 1500mm

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Murata, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator Keramik, 22μF / 25V dc, Gehäuse 0805

Murata, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator Keramik, 22μF / 25V dc, Gehäuse 0805

Murata, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator Keramik, 22μF / 25V dc, Gehäuse 0805, Kapazität: 22µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: KRM21FR61E226MFA1L.

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  • Passive Bauelemente
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  • Keramik Vielschichtkondensatoren
  • Murata
    • Murata, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator Keramik, 4.7μF / 50V dc, Gehäuse 0805

    Murata, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator Keramik, 4.7μF / 50V dc, Gehäuse 0805

    7μF / 50V dc, Gehäuse 0805, Kapazität: 4.7µF, Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: GRT21BR61H475KE13L.

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    • TDK ZCAT Ferrithülse, Typ Kugel, 30 Material, 80Ω @ 100MHz, 28 Dia. x 35mm, für Kabel-Ø 10mm Zum Öffnen

    TDK ZCAT Ferrithülse, Typ Kugel, 30 Material, 80Ω @ 100MHz, 28 Dia. x 35mm, für Kabel-Ø 10mm Zum Öffnen

    x 35mm, für Kabel-Ø 10mm Zum Öffnen, Applikation: EMV, Impedanz bei 25 MHz: 40Ω, Schlüssel: Nein, Zum Öffnen: Ja, Höhe Außen: 20mm, MPN: ZCAT2235-1030A.TDK ZCAT Ferrithülse, Typ Kugel, 30 Material, 80Ω @ 100MHz, 28 Dia.

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    • Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

    Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

    Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: 58 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.3 A 2000 mW, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.

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  • MOSFET
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    • Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

    Vishay SI4900DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

    : -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.

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