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Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOJ 44-Pin

About The : 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 1.13 x 0

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ 44-Pin, Organisation: 256 k x 16 Bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 1.13 x 0.405 x 0.11Zoll, Höhe: 2.79mm, MPN: CY7C1041G-10VXI

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Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOJ 44-Pin

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Specifications of Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOJ 44-Pin

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