Infineon HEXFET IRF7342TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 3,4 A 2 W, 8-Pin SOIC
About The : -20 V, +20 V, Höhe: 1.Infineon HEXFET IRF7342TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 3,4 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max
Infineon HEXFET IRF7342TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 3,4 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 170 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRF7342TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 3,4 A 2 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Infineon HEXFET IRF7342TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 3,4 A 2 W, 8-Pin SOIC | |
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