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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Arcol HS150 Wickel Lastwiderstand 2.2Ω ±1% / 150W, Alu Gehäuse

About The : -100ppm/°C, Temperaturkoeffizient max.1mm, Gesamtlänge: 97

Arcol HS150 Wickel Lastwiderstand 2.2Ω ±1% / 150W, Alu Gehäuse, Gehäuse-Form: Aluminiumgehäuse, Temperaturkoeffizient min.: -100ppm/°C, Temperaturkoeffizient max.: +100ppm/°C, Abmessungen: 97.7 x 47.5 x 24.1mm, Gesamtlänge: 97.7mm, Gesamtbreite: 47.5mm, MPN: HS150E6 2R2 F M193

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Arcol HS150 Wickel Lastwiderstand 2.2Ω ±1% / 150W, Alu Gehäuse

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Infineon OptiMOS 3 IPB083N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Infineon OptiMOS 3 IPB083N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.: 15,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Panasonic ERJB2,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 10kΩ ±1% / 0.75W ±100ppm/°C, 0612 (1632M) Gehäuse

    Panasonic ERJB2,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 10kΩ ±1% / 0.75W ±100ppm/°C, 0612 (1632M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: ERJB2AF103V.Panasonic ERJB2,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 10kΩ ±1% / 0.

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    Rittal Erdungskit

    Rittal Erdungskit, Zur Verwendung mit: Einschub Typ DK-TS, MPN: 7829150.

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    • Alliance Memory 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort 19bit, 2,7 V bis 5,5 V, PDIP 32-Pin
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    Alliance Memory 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort 19bit, 2,7 V bis 5,5 V, PDIP 32-Pin

    818 x 3.Alliance Memory 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort 19bit, 2,7 V bis 5,5 V, PDIP 32-Pin, Organisation: 512 k x 8 Bit, Zugriffszeit max.91mm, MPN: AS6C4008-55PCN.81mm, Länge: 41.

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