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Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 225 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8L

About The Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 225 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8L, MPN: SIJH112E-T1-GE3

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 225 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8L, MPN: SIJH112E-T1-GE3

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Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 225 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8L

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Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 225 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8L

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Welwyn W20 Wickel Widerstand 510Ω ±5% / 3W

Welwyn W20 Wickel Widerstand 510Ω ±5% / 3W

: +200°C, Temperaturkoeffizient: ±200ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: W21-510RJI.Welwyn W20 Wickel Widerstand 510Ω ±5% / 3W, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • Festwiderstände
  • Durchsteckwiderstände
  • Welwyn
    • Verbatim, USB-Flash-Laufwerk, 256 GB, USB 3.0, Keine Verschlüsselung, V3 USB

    Verbatim, USB-Flash-Laufwerk, 256 GB, USB 3.0, Keine Verschlüsselung, V3 USB

    0, Keine Verschlüsselung, V3 USB, Industrieausführung: Nein, MPN: 49168.Verbatim, USB-Flash-Laufwerk, 256 GB, USB 3.

  • PSA & Sicherheit & Test und IT
  • Computertechnik und Peripheriegeräte
  • Speicher
  • USB Sticks
  • Verbatim
    • Verbatim Monitor Tragbarer Touchscreen PMT-14, 14Zoll, Auflösung max.1920 x 1080 LCD, 178° Betrachtungswinkel

    Verbatim Monitor Tragbarer Touchscreen PMT-14, 14Zoll, Auflösung max.1920 x 1080 LCD, 178° Betrachtungswinkel

    Verbatim Monitor Tragbarer Touchscreen PMT-14, 14Zoll, Auflösung max.1920 x 1080 LCD, 178° Betrachtungswinkel, MPN: 49591.

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    • Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

    Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

    : 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiR580DP-T1-RE3.: 0,0027 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

    Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

    : 0,0027 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiR580DP-T1-RE3.Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.

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