Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,6 A, 8-Pin SO-8
About The : 0,029 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF7311TRPBF
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,6 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,029 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF7311TRPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,6 A, 8-Pin SO-8
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,6 A, 8-Pin SO-8 | |
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