Infineon 500V CoolMOS™ CE IPA50R800CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 7,6 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,8 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon 500V CoolMOS™ CE IPA50R800CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 7,6 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon 500V CoolMOS™ CE IPA50R800CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 7,6 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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