Infineon CoolSiC IMW65R027M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 47 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,034 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.7V, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Infineon CoolSiC IMW65R027M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 47 A, 3-Pin TO-247
Specifications of Infineon CoolSiC IMW65R027M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 47 A, 3-Pin TO-247 | |
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