Onsemi UniFET FDA69N25 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 69 A 480 W, 3-Pin TO-3PN
About The : +150 °C.onsemi UniFET FDA69N25 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 69 A 480 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max
onsemi UniFET FDA69N25 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 69 A 480 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi UniFET FDA69N25 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 69 A 480 W, 3-Pin TO-3PN
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Specifications of Onsemi UniFET FDA69N25 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 69 A 480 W, 3-Pin TO-3PN | |
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