Infineon OptiMOS™ BSZ099N06LS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 46 A, 8-Pin TSDSON-8 FL
About The 3V, Transistor-Werkstoff: Si.: 0,0099 Ω, Gate-Schwellenspannung max
Infineon OptiMOS™ BSZ099N06LS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 46 A, 8-Pin TSDSON-8 FL, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0099 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ BSZ099N06LS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 46 A, 8-Pin TSDSON-8 FL
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Specifications of Infineon OptiMOS™ BSZ099N06LS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 46 A, 8-Pin TSDSON-8 FL | |
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