Onsemi PowerTrench FDC6401N N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3 A 960 MW, 6-Pin SOT-23
About The .: 106 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
onsemi PowerTrench FDC6401N N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3 A 960 mW, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 106 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench FDC6401N N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3 A 960 MW, 6-Pin SOT-23
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Specifications of Onsemi PowerTrench FDC6401N N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3 A 960 MW, 6-Pin SOT-23 | |
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