Onsemi NVMFS6H818NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 136 W, 5-Pin DFN
About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +175 °C
onsemi NVMFS6H818NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 136 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NVMFS6H818NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 136 W, 5-Pin DFN
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Onsemi NVMFS6H818NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 136 W, 5-Pin DFN | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
