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Infineon HEXFET IRFB4127PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 76 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

About The .: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon HEXFET IRFB4127PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 76 A 375 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.02mm

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Infineon HEXFET IRFB4127PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 76 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Infineon HEXFET IRFB4127PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 76 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

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Infineon HEXFET IRFB4127PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 76 A 375 W, 3-Pin TO-220AB
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