Infineon HEXFET IRFB4127PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 76 A 375 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.02mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFB4127PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 76 A 375 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Infineon HEXFET IRFB4127PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 76 A 375 W, 3-Pin TO-220AB | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |